MRiT
EFRR
#g06758Przewodzące struktury GaN/AlGaN/SiC do konstrukcji nowych generacji elektronicznych przyrządów wertykalnych. Akronim Projektu: "TranzGaN".
Kwota UE
3 752 662 zł
Rok
2025
% UE
89.16%
Wartość projektu
4,5 mln PLN
KRS
—
Informacje o projekcie
Tytuł projektu
Przewodzące struktury GaN/AlGaN/SiC do konstrukcji nowych generacji elektronicznych przyrządów wertykalnych. Akronim Projektu: "TranzGaN".
Program
Fundusze Europejskie dla Nowoczesnej Gospodarki
Fundusz
EFRR
Numer umowy/decyzji
FENG.01.01-IP.01-A0AF/24
Data rozpoczęcia
2025-04-01
Data zakończenia
2028-03-31
Instytucja finansująca
Fundusze Europejskie dla Nowoczesnej Gospodarki
Beneficjent
Nazwa beneficjenta
SEEN Semiconductors Sp. z o.o.
Status KRS
Brak KRS
Miejsce realizacji
WOJ.: MAZOWIECKIE, POW.: Warszawa, GM.: Warszawa
Powiązane kategorie